«В итоге на конец января годовая инфляция составила 6 процентов. Это ниже, чем прогноз Банка России на конец 2025 года — 6,5-7,0 процента, то есть суммарный рост цен за последние месяцы меньше, чем мы ожидали», — пояснил зампред регулятора.
Последние новости
，推荐阅读旺商聊官方下载获取更多信息
Израиль нанес удар по Ирану09:28。业内人士推荐同城约会作为进阶阅读
FirstFT: the day's biggest stories
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。